STP400N4F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP400N4F6技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能同时承载120A大电流，却将导通电阻降至惊人的1.7毫欧的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计？答案就在STP400N4F6之中。这颗来自意法半导体的功率MOSFET，凭借其标志性的DeepGATE和STripFET VI技术，重新定义了中压大电流应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是通往更高能效、更紧凑设计和更强可靠性的钥匙。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是工业电机驱动中需要快速响应的桥臂开关，甚至是新能源车载充电机(OBC)和DC-DC转换器，STP400N4F6都能游刃有余。其40V的漏源电压和高达300W的功率耗散能力，为系统提供了宽裕的安全余量，确保在复杂工况下的稳定运行。从-55°C到175°C的宽广结温范围，让它无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境中依然保持出色性能，这正是其卓越品质的体现。

选择STP400N4F6，意味着您选择了一种经过市场验证的可靠技术路径。极低的Rds(on)直接转化为更少的导通损耗，意味着更低的温升和更高的系统效率，帮助您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。同时，优化的栅极电荷与电容特性，确保了快速干净的开关行为，既降低了开关损耗，也简化了驱动电路的设计。尽管该型号已进入停产状态，但通过正规的ST中国代理渠道，您依然可以获得可靠的货源和技术支持，为现有产品的持续生产或升级维护提供坚实保障。让这颗强大的“心脏”为您的电力系统注入澎湃而高效的动力。

型号:STP400N4F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:377 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20000 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能扛起大电流、压降又足够低的“硬核”开关管吗？STP400N4F6正是为您的高性能电源和电机驱动应用量身打造。它集成了意法半导体先进的DeepGATE技术，在40V电压下可连续通过高达120A的电流，而导通电阻却低至1.7毫欧，能显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

这颗N沟道MOSFET拥有优异的开关特性，其栅极电荷和输入电容经过精心优化，让您能够轻松实现快速、干净的开关切换，从而有效降低开关损耗并提升整体频率响应。采用经典的TO-220封装，它既便于安装散热，又提供了从-55°C到175°C的广阔工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定可靠地工作，是提升产品功率密度和可靠性的理想选择。