STP40N20

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？想象一下，一个能同时兼顾高耐压、大电流和低导通电阻的解决方案，将如何彻底改变您的电源或电机驱动设计。今天，我们向您隆重介绍这款历经市场验证的功率器件STP40N20，它正是为应对这些严苛挑战而生的得力助手。

源自ST意法半导体广受赞誉的STripFET技术平台，STP40N20以其200V的漏源电压和高达40A的连续漏极电流能力，为您构建了一个坚固的性能基石。这意味着在开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）或工业电机控制等应用中，它能从容应对高功率节点的切换任务，确保系统稳定运行。其低至45毫欧的导通电阻，直接转化为更低的传导损耗，不仅提升了整体能效，更显著减少了发热量，让您的散热设计变得更加轻松，系统寿命也得以延长。

无论是伺服驱动器中需要精准控制的电机，还是光伏逆变器中要求高效转换的功率模块，STP40N20都能凭借其优异的开关特性（如75nC的低栅极电荷）和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），在各种复杂工况下保持稳定输出。其经典的TO-220AB封装，兼顾了出色的功率处理能力和便捷的安装与散热管理，是工程师们熟悉且信赖的选择。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具价值。选择它，就是选择了一份经过时间淬炼的安心与高效。

当您为下一个项目寻找值得信赖的功率核心时，STP40N20提供的不仅仅是一组优秀的参数，更是一种经过验证的设计信心。它能帮助您简化设计复杂度，提升产品性能上限，并最终赢得终端市场的认可。为确保您获得正品保障与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行咨询与采购，从而为您的产品成功保驾护航。

• 型号:STP40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP40N20，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起高功率重任又易于驾驭的MOSFET吗？STP40N20正是您的理想之选！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有200V耐压和40A大电流承载能力，专为要求苛刻的开关应用而生。

它采用先进的STripFET技术，实现了低至45毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。高达160W的功率处理能力和坚固的TO-220AB封装，让您能轻松应对散热挑战，提升系统可靠性。选择STP40N20，就是为您的设计注入强劲而稳定的动力核心。