STP40N65M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP40N65M2技术参数详情：

当您的电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否渴望一颗能在高压下稳定输出、同时将损耗降至最低的“心脏”？今天，我们为您带来意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品STP40N65M2。它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的强大引擎。凭借其卓越的650V耐压与高达32A的连续电流能力，它能轻松驾驭严苛的工业环境，将能量转换过程中的每一分损耗都转化为实实在在的性能与可靠性。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STP40N65M2正以其超低的导通电阻（典型值仅99毫欧）和优化的栅极电荷，大幅降低开关损耗与导通损耗。这意味着您的设备运行更凉爽，效率更高，寿命更长。无论是面对频繁启停的电机控制，还是需要高功率密度的开关电源，它都能提供稳定、高效的功率开关解决方案，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得客户的信赖。

选择STP40N65M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其TO-220封装兼顾了出色的散热性能与便捷的安装工艺，而高达150°C的结温工作范围，则赋予了设计者更大的余量与灵活性。更重要的是，通过我们专业的ST中国代理，您不仅能获得原装正品保障，还能得到及时的技术支持与供应链服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。现在就为您的下一个设计注入这颗高效、可靠的动力核心吧！

型号:STP40N65M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:99 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2355 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:250W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在为寻找一颗能兼顾高压、大电流与高效率的功率开关而烦恼吗？STP40N65M2正是您期待的答案。这颗基于先进MDmesh M2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和32A的强大电流处理能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或新能源设备时，轻松应对高功率挑战。

它的核心魅力在于极致的效率。超低的导通电阻与优化的动态特性，能显著减少开关和导通损耗，这意味着您的系统运行更凉爽，能效比更高，整体可靠性大幅提升。无论是提升现有产品性能，还是开发下一代高效能解决方案，STP40N65M2都能成为您手中可靠且高效的“利器”，助您快速实现设计目标，赢得市场先机。