STP410N4F7AG - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP410N4F7AG技术参数详情：

想象一下，当您的电源转换系统需要处理高达180A的连续电流时，传统的MOSFET是否让您在设计效率和散热方案之间左右为难？现在，这一切都有了更优解。我们隆重推出STP410N4F7AG，这颗来自意法半导体STripFET F7家族的功率器件，正是为突破性能瓶颈而生。它不仅仅是一个参数表上亮眼的组件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠设计的核心引擎。

在当今追求高功率密度和极致效率的工业自动化、服务器电源或新能源车载充电领域，每一瓦的损耗都至关重要。STP410N4F7AG凭借其先进的STripFET F7技术，在40V的漏源电压下，实现了极低的导通电阻，这意味着在相同电流下，它能显著减少导通损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其高达365W的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，为您提供了坚实的可靠性基础，让系统在严苛环境下也能稳定运行，延长设备寿命。

为何众多领先企业将STP410N4F7AG作为大电流开关应用的首选？答案在于它带来的综合价值飞跃。它简化了您的热管理设计，降低了散热成本，让整体方案更紧凑、更经济。同时，其优异的开关特性有助于提升系统频率，进一步缩小被动元件的体积，助力您打造出体积更小、功率更强的下一代产品。选择它，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与长期可靠性。如需获取官方正品与技术支援，我们信赖的合作伙伴ST代理将为您提供全方位的服务。立即采用STP410N4F7AG，让它成为您功率设计中的定海神针，驱动创新，赢在未来。

型号:STP410N4F7AG
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 180A TO220
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
Vgs（最大值）:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:365W（Tc）
工作温度:-
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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它能在40V电压下持续通过高达180A的电流，并凭借STripFET F7技术将导通损耗降至极低，直接为您带来更高的系统效率和更简单的散热设计。无论是构建高效的DC-DC转换器、驱动强劲的电机，还是管理复杂的电源分配，STP410N4F7AG都能提供稳定可靠的性能，让您轻松应对功率挑战，专注于实现产品的核心价值。