STP4N150

在追求更高能效与可靠性的电力转换领域，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭高压、大功率挑战的核心开关器件？答案或许就藏在STP4N150之中。这款来自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，以其高达1500V的漏源电压和4A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚实屏障。它不仅仅是一个参数，更是稳定与信心的承诺，让您的设计在严苛环境下依然游刃有余，释放前所未有的性能潜力。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）甚至新能源逆变器的核心电路中，STP4N150正扮演着至关重要的角色。其卓越的高压阻断能力，让系统在面对电压尖峰和浪涌时稳如泰山，极大提升了整机可靠性。同时，得益于优化的7欧姆导通电阻（Rds(on)）和低至50nC的栅极电荷，它在开关过程中能有效降低导通损耗和开关损耗，这意味着更低的温升、更高的效率，以及最终为用户带来的更节能、更耐用的产品体验。无论是升级现有方案还是开拓全新应用，它都能成为您得力的功率开关伙伴。

选择STP4N150，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质。意法半导体的PowerMESH技术确保了器件在性能和鲁棒性上的完美平衡。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺。高达160W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它应对持续高负荷工作的强大底气。当您需要可靠的技术支持和本土化服务时，专业的ST中国代理网络将是您坚实的后盾，确保您从选型到量产的全程顺畅。立即将STP4N150纳入您的设计蓝图，让它驱动您的产品迈向更高性能与可靠性的新纪元。

• 型号:STP4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP4N150，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

面对高达1500V的电压挑战，您的功率开关方案是否已准备就绪？STP4N150正是为您应对此类高压、中功率场景而生的利器。这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，能轻松胜任开关电源、电机驱动等应用中的核心开关任务，让您的系统效率更高、运行更稳。

它凭借优化的导通电阻与栅极电荷，显著降低了开关损耗和导通损耗，帮助您实现更高能效的设计目标。同时，其坚固的TO-220AB封装和宽泛的工作温度范围，确保了在恶劣环境下的长期可靠运行。选择STP4N150，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。