STP4N52K3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP4N52K3技术参数详情：

当您需要一款能在高压环境下稳定工作，同时兼顾效率和可靠性的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STP4N52K3这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场先机的得力伙伴。想象一下，在525V的高压下，它依然能保持出色的导通性能和极低的开关损耗，这意味着您的电源系统可以运行得更安静、更凉爽，同时将更多的电能高效地输送给负载，直接转化为产品的核心竞争力。

无论是工业电源、LED照明驱动，还是家用电器中的辅助电源，STP4N52K3都能大显身手。在开关电源（SMPS）的拓扑结构中，它凭借SuperMESH3技术的加持，实现了极低的导通电阻与栅极电荷的完美平衡。这意味着在频繁的开关动作中，它能有效降低导通损耗和开关损耗，让您的电源设计在追求高效率的道路上迈出坚实一步。其高达150°C的结温工作能力，赋予了产品更强的环境适应性和长期运行可靠性，即使在严苛的工况下也能游刃有余。

选择STP4N52K3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的技术方案。它采用经典的TO-220封装，便于安装和散热，大大简化了您的生产与维护流程。更令人安心的是，通过官方授权的ST代理渠道，您可以确保获得原装正品和及时的技术支持，让您的项目从研发到量产全程无忧。这颗芯片的价值，不仅在于其525V/2.5A的硬核参数，更在于它能为您的终端产品注入高效、可靠、持久的生命力，帮助您在激烈的市场竞争中构建起坚实的技术护城河。现在就让它成为您下一个成功设计的核心动力吧！

型号:STP4N52K3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:525 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STP4N52K3来为您提供高效的解决方案！这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，专为要求苛刻的功率转换场景而生。它拥有525V的高耐压和2.5A的连续电流能力，能轻松应对反激式电源、功率因数校正（PFC）等拓扑结构中的主开关角色。

其核心价值在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（Rds(on)）确保在导通时损耗最小化，而优化的栅极电荷（Qg）则让开关速度更快、损耗更低。这意味着您能轻松构建出效率更高、发热更少的电源系统。同时，其坚固的TO-220封装和宽工作温度范围，让您的设计在面对各种环境挑战时都充满信心，是实现高效、紧凑、可靠功率管理的理想选择。