STP4N62K3

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关电源的功率损耗和散热问题而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的高性能解决方案STP4N62K3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其620V的高耐压和SuperMESH3技术的加持，专为应对苛刻的开关环境而生，能显著提升系统的整体效率与稳定性。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是电机驱动控制板上，每一次开关动作都意味着能量的转换与损耗。STP4N62K3的出现，正是为了最大限度地减少这种损耗。其极低的导通电阻（Rds(on)）意味着在导通状态下更小的压降和发热，而优化的栅极电荷（Qg）则确保了快速、干净的开关切换，从而降低开关损耗。这不仅让您的设备运行得更“冷静”，更能直接转化为更长的使用寿命和更低的运营成本，尤其在工业控制、消费类电源适配器等连续运行的应用场景中，其价值尤为凸显。

选择STP4N62K3，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与性能承诺。其TO-220封装提供了优异的散热能力和便捷的安装方式，而高达150°C的结温（TJ）则赋予了它应对高温工作环境的强大韧性。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场应用案例，使其依然是许多经典设计升级或特定需求备货的优选。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，这将是您项目成功与供应链安全的重要基石。

• 型号:STP4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP4N62K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压、高效开关重任的核心功率器件吗？STP4N62K3正是为此而生！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高漏源电压和3.8A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、功率转换等应用中的高压切换挑战。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。极低的导通电阻（1.95Ω @10V）意味着更小的导通损耗和发热，而优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速开关，显著提升整体能效。TO-220封装提供了出色的散热路径，让您即使在严苛环境下也能保持稳定运行，简化您的热管理设计。