STP4NK80Z

当您需要一款能在高压环境下稳定运行、同时兼顾效率与可靠性的功率开关器件时，是否曾为选型而犹豫？答案或许就藏在STP4NK80Z这颗来自ST意法半导体的SuperMESH MOSFET之中。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品性能、构建市场竞争力的关键引擎。凭借高达800V的漏源电压和优化的动态特性，它能从容应对各种电压尖峰和恶劣工况，将系统稳定性提升到一个新的高度，让您的设计从“能用”迈向“卓越”。

想象一下，在开关电源、照明驱动或工业电机控制等应用场景中，系统需要频繁地开关和高效率的能量转换。STP4NK80Z正是为此而生。其N沟道设计和仅3.5欧姆的低导通电阻，意味着在导通状态下损耗极低，电能可以更高效地传递，直接帮助您的终端产品减少发热、提升能效，甚至满足更严苛的能效标准。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率模块，它都能无缝融入，成为那个默默奉献却至关重要的“心脏”。

选择STP4NK80Z，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术保障与长期价值。其TO-220AB的经典封装，不仅便于安装和散热，也经过了无数市场应用的验证，可靠性毋庸置疑。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应全球各种复杂环境。当您追求更低的系统总成本、更快的上市时间以及更优的长期可靠性时，这颗芯片提供的正是这种综合价值。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得正品货源和具有竞争力的价格，更能提供专业的技术支持，助您将这颗芯片的潜力发挥到极致，共同打造出令市场惊艳的产品。

• 型号:STP4NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP4NK80Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的开关损耗和可靠性问题烦恼吗？让STP4NK80Z来为您解决！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和仅3.5欧姆的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为 demanding 应用而优化，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快，从而轻松提升整体系统频率和功率密度。无论是开发新一代节能照明、紧凑型适配器，还是可靠的工业控制板，STP4NK80Z都能为您提供坚实的性能基础，助您轻松应对设计挑战，打造出更具市场竞争力的产品。