STP55NF06

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场千锤百炼的卓越解决方案STP55NF06。这款来自意法半导体STripFET II家族的N沟道功率MOSFET，以其高达50A的连续漏极电流和仅18毫欧的超低导通电阻，重新定义了中功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品能效、缩小体积并增强耐用性的关键引擎。

想象一下，在您的电动工具中，它能够瞬间响应指令，提供澎湃而稳定的动力输出，让每一次启动都强劲有力；在您的工业电源或DC-DC转换器中，其极低的Rds(on)意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统运行温度更低，寿命自然更长。无论是汽车电子中的风扇控制、泵驱动，还是UPS不间断电源中的关键开关，STP55NF06都能凭借其60V的漏源电压和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，在各种严苛环境下稳定服役，成为您设计中最值得信赖的“能量守门员”。

选择STP55NF06，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热能力和便捷的装配工艺。10V的标准驱动电压使其易于被主流控制器驱动，而仅60nC的栅极电荷则确保了高速开关性能，有效降低开关损耗，提升整体系统频率与响应速度。这意味着您的产品不仅能“跑得快”，还能“跑得久”、“跑得稳”。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您将获得原装正品保障、完整的技术支持与可靠的供应链服务，让您的项目从研发到量产全程无忧。让STP55NF06为您的下一个创新注入强大而高效的核心动力！

• 型号:STP55NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP55NF06，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的“硬核”开关吗？STP55NF06正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达50A的连续电流处理能力和低至18毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源管理或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET II技术，开关速度快，栅极电荷低，让您轻松实现高频率的开关控制，提升系统整体响应与能效。其坚固的TO-220AB封装和宽达-55°C至175°C的工作结温，确保它在各种挑战性环境中稳定可靠，是您打造耐用、高性能产品的理想功率核心。