STP5N120

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，工程师们是否常常为高压开关应用中的损耗和散热问题所困扰？今天，我们为您带来一个久经市场考验的经典解决方案STP5N120。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达1200V的漏源电压和4.7A的连续漏极电流，为高压环境下的稳定运行树立了标杆。即便它已进入停产状态，其卓越的性能和广泛的应用验证，使其依然是许多经典设计和新项目备选的可靠基石，在库存充足的情况下，选择它意味着选择了经过时间淬炼的稳定与安心。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明镇流器或是UPS不同断电源系统中，STP5N120正默默发挥着核心作用。它所属的SuperMESH技术家族，专为降低导通电阻和优化开关性能而生，其3.5欧姆的导通电阻（在10V驱动下）确保了在高压切换时仍能保持较低的传导损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。TO-220-3的经典封装形式，不仅便于安装和散热管理，其高达160W的功率耗散能力（壳温条件下）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，让您的产品能够从容应对严苛的工业环境挑战，从寒冷的户外到高温的机箱内部，性能始终如一。

为何在众多选择中，STP5N120依然值得您的关注？答案在于其无可替代的价值组合。它不仅仅是一个参数表，更是ST意法半导体深厚技术底蕴的体现。55nC的低栅极电荷和120pF的输入电容，意味着它易于驱动，能够帮助您简化驱动电路设计，加快开关速度，从而提升系统响应。对于正在维护或升级现有系统的工程师而言，这颗芯片的兼容性和可靠性是项目延续性的保障。当然，要获取这颗经典器件，通过官方授权的ST代理渠道是关键，他们不仅能提供可靠的原装货源，还能为您提供专业的技术支持，确保您的设计从选型到量产一路顺畅。选择STP5N120，就是为您的电力核心选择一个坚实、高效且久经考验的动力引擎。

• 型号:STP5N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP5N120，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭1200V高压，同时保持高效开关性能的功率开关管吗？STP5N120正是为此而生。这颗N沟道MOSFET采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，让您在处理高达4.7A电流时，依然享受低损耗带来的高效能与低发热。

它能让您的开关电源、电机控制或工业电源设计更加稳健。高达160W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保您的设备在各种环境下稳定运行。其优化的栅极电荷特性，让驱动设计变得更简单，助您轻松提升系统整体响应速度和可靠性。