STP5N95K3

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾效率与可靠性的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就藏在STP5N95K3这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。凭借高达950V的漏源电压和4A的连续漏极电流能力，它为您的高压应用筑起了一道坚实可靠的防线，让您在面对严苛的电气环境时也能胸有成竹。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器系统中，STP5N95K3正以其出色的性能默默工作。它源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH3产品家族，这项先进技术意味着更低的导通电阻和更优的开关特性。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为3.5欧姆，这不仅有效降低了导通损耗，提升了整体能效，更直接转化为更低的温升和更长的系统寿命。无论是工业自动化设备中的功率转换，还是消费类电子中的高效电源，它都能轻松应对，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STP5N95K3，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其TO-220封装形式成熟可靠，便于安装和散热，宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了它在各种极端环境下都能稳定运行。虽然该型号目前已停产，但其卓越的设计和久经考验的可靠性，使其在特定应用和库存替换市场中依然极具价值。对于寻求稳定供应和专业技术支持的客户，通过值得信赖的ST一级代理进行咨询和采购，是获取正品元件和获取完整技术资料的有效途径。让STP5N95K3成为您经典设计中那颗不可或缺的“心脏”，驱动您的创意，实现高效与可靠的完美平衡。

• 型号:STP5N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 4A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP5N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持高效运行的功率开关吗？STP5N95K3正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有高达950V的击穿电压和4A的连续电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、电机控制及照明应用而设计。

它采用先进的SuperMESH3技术，在10V栅极驱动下可实现低至3.5欧姆的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。其优化的栅极电荷（仅19nC）有助于提升开关速度，减少开关损耗。TO-220封装提供出色的功率耗散能力（最大90W），宽工作温度范围确保它在各种环境下稳定可靠，助您轻松构建高性能、高可靠性的电源与驱动解决方案。