STP5NK100Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP5NK100Z技术参数详情：

当您需要一款能够从容应对严苛高压环境的功率开关时，什么样的解决方案才能让您彻底安心？答案就蕴藏在STP5NK100Z之中。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达1000V的漏源电压和SuperMESH3技术的加持，为您带来前所未有的高耐压与高效率体验。它不仅仅是一个元器件，更是您构建稳定、可靠电源系统的坚实基石，让每一次开关都精准而有力。

想象一下，在工业电源、UPS不间断电源、电机驱动乃至照明镇流器的核心电路中，电压尖峰和恶劣工况是常态。STP5NK100Z正是为此而生。其卓越的1000V耐压能力，提供了充足的安全裕度，有效抵御浪涌冲击，确保系统在复杂电网环境下依然稳定运行。同时，3.7欧姆的低导通电阻（在1.75A，10V条件下）意味着更低的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，帮助您的终端产品在市场中脱颖而出，赢得节能环保的美誉。

选择STP5NK100Z，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，适应各种应用环境。经典的TO-220AB封装不仅成熟可靠，便于安装和散热管理，还能与广泛的设计兼容。无论您是升级现有方案还是开启全新设计，它都能无缝融入，大幅缩短开发周期。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商将是您获取正品芯片和获取技术支持的得力伙伴。让STP5NK100Z成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效节能的新篇章。

型号:STP5NK100Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:125W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效冷静的“能量指挥官”？STP5NK100Z正是您的理想之选。它基于先进的SuperMESH3技术，拥有高达1000V的击穿电压和仅3.7欧姆的低导通电阻，让您在处理工业电源、电机控制等高压应用时，能显著降低开关损耗和发热，提升系统整体能效。

这颗芯片能为您提供强大而可靠的功率开关解决方案。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动设计更简单，开关速度更快，响应更迅捷。高达125W的功率处理能力和宽温度范围，确保它在严苛环境下依然稳定工作。选择STP5NK100Z，就是为您的产品注入了高效、耐用与安心的核心动力。