STP5NK50ZFP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP5NK50ZFP技术参数详情：

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP5NK50ZFP。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其500V的高压耐受能力和SuperMESH技术的加持，天生就是为了应对苛刻的工业环境而生。它不仅意味着更低的导通电阻和更快的开关速度，更代表着系统整体效率的显著提升和运行稳定性的根本保障。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是电机驱动控制板中，STP5NK50ZFP能够游刃有余地处理高电压大电流的切换任务。其TO-220FP封装提供了优异的散热性能，确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，将70W的功率耗散能力转化为实实在在的可靠性。无论是面对工业自动化设备的持续运行，还是家用电器中要求高效节能的电源模块，它都能成为电路中那个最值得信赖的“开关”。

选择STP5NK50ZFP，就是选择了一份经过市场验证的成熟与稳健。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在过往大量应用中的出色表现和极高性价比。对于许多经典产品线的维护、升级或成本优化项目而言，它依然是无可替代的优选。当您需要可靠的原装ST产品时，可以随时联系我们的ST芯片代理团队，获取专业的技术支持和供货保障。让这颗凝聚了ST尖端SuperMESH技术的芯片，为您的产品注入持久的动力与活力，在激烈的市场竞争中构建起坚固的性能护城河。

型号:STP5NK50ZFP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
包装:管件
产品状态:不适用于新设计
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STP5NK50ZFP正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和4.4A的连续电流能力，其核心的SuperMESH技术让导通电阻低至1.5欧姆，并显著降低了栅极电荷，这意味着它能帮助您的电源或电机驱动设计大幅降低开关损耗，提升整体能效。

它让您轻松应对复杂的电路环境，高达70W的功率耗散能力和TO-220FP封装确保了出色的热管理，工作温度范围宽达-55°C至150°C，保障了系统在严苛条件下的长期稳定运行。无论是用于功率转换还是负载开关，STP5NK50ZFP都能以卓越的性能，成为您打造高效、可靠电力电子产品的坚实基石。