STP60N55F3

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为寻找一款能在高电流下保持稳定、低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP60N55F3。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其55V的耐压和高达80A的连续漏极电流能力，重新定义了中压大电流应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、实现设计精简的强大引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高性能DC-DC转换器中，STP60N55F3能够轻松驾驭严苛的负载。其核心采用了先进的STripFET III技术，将导通电阻（RDS(on)）降至惊人的8.5毫欧（@32A, 10V），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了极快的开关速度，让您的系统响应迅捷，整体效率大幅跃升。无论是面对持续的高负载，还是频繁的开关动作，它都能游刃有余，稳定工作在-55°C至175°C的广阔温度范围内。

选择STP60N55F3，就是选择了一份可靠与高效。它经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式，让您的生产与维护都变得简单。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的市场验证，使其成为特定升级或备品备件方案中的经典之选。要获取这颗经典芯片或探索其替代方案，请联系我们专业的ST芯片代理团队，我们将为您提供全面的技术支持和可靠的供应链服务。让STP60N55F3成为您动力系统中的核心，驱动未来，释放无限潜能。

• 型号:STP60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP60N55F3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在设计需要强大动力和高效控制的设备吗？STP60N55F3正是为您而生的功率管理利器。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达80A的连续电流和55V的电压，其超低的8.5毫欧导通电阻，能显著减少能量损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它基于STripFET III技术打造，拥有极快的开关速度和优化的栅极电荷，确保响应迅速，控制精准。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，它都能让您轻松实现稳定可靠的性能输出，是提升产品竞争力的理想选择。