STP6N120K3

当您的设计需要面对严苛的高压环境，同时还要兼顾效率和可靠性时，您是否曾为寻找一颗性能与成本完美平衡的功率开关而困扰？现在，答案就在眼前。意法半导体凭借其深厚的功率半导体技术积淀，为您带来了SuperMESH3家族中的杰出代表STP6N120K3。这颗N沟道MOSFET以其高达1200V的漏源击穿电压和6A的连续漏极电流，为您的高压应用构筑了坚实的第一道防线。它不仅仅是一个开关，更是您系统稳定、高效运行的基石。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路，甚至是电焊机、不间断电源（UPS）这些对功率处理能力要求极高的场景中，STP6N120K3都能大显身手。其卓越的SuperMESH3技术，意味着在高压下依然能保持极低的导通电阻（Rds(on)），这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。当您的设备在满负荷运行时，更低的温升意味着更长的使用寿命和更高的系统可靠性，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STP6N120K3，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其坚固的TO-220封装提供了出色的散热能力和机械强度，轻松应对-55°C至150°C的宽工作温度范围，适应各种恶劣环境。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证和稳定的性能，使其成为许多经典和长生命周期项目的可靠之选。通过与值得信赖的ST代理商合作，您依然可以获得可靠的货源和技术支持，确保您的生产计划顺利进行，让创新无忧。

• 型号:STP6N120K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP6N120K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电路中的开关损耗和散热问题头疼吗？让意法半导体的STP6N120K3来为您分忧。这颗基于先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有1200V的强悍耐压和6A的电流处理能力，能轻松驾驭工业电源、电机驱动等高要求场景。

它的核心价值在于高效与可靠。仅需10V驱动电压，即可实现优异的导通特性（Rds(on)典型值低至2.4欧姆），显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。高达150W的功率耗散能力，配合经典的TO-220封装，确保了出色的热管理，让您在设计高功率密度应用时信心倍增。