STP6N90K5

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的损耗与散热问题而困扰？现在，一个卓越的解决方案已经到来STP6N90K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达900V的漏源电压和6A的连续漏极电流能力，重新定义了高压应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、实现设计精简化的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、照明镇流器或电机驱动电路中，STP6N90K5能够轻松应对严苛的高压环境。其核心采用了ST先进的MDmesh K5技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，在保持超快开关速度的同时，显著降低了导通电阻。这意味着在相同的电流下，芯片自身的功耗更小，产生的热量也更少。对于工程师而言，这直接转化为更简单的散热设计、更高的系统可靠性，以及最终产品更长的使用寿命。无论是工业电源、UPS不间断电源，还是新能源领域的逆变器，它都能成为电路中稳定而高效的心脏。

选择STP6N90K5，就是选择了一份从容与信心。其1.1欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下）确保了开关过程中的能量损失被降至最低，帮助您的系统轻松满足日益严格的能效标准。TO-220的经典封装形式，兼顾了优异的功率耗散能力（高达110W）和便捷的安装工艺，让从原型设计到批量生产都顺畅无阻。更宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）赋予了它应对极端环境挑战的坚韧品质。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST一级代理将为您提供从选型到供应的全程保障。让STP6N90K5的强大性能，为您的下一个创新项目注入澎湃动力与卓越价值。

• 型号:STP6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP6N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高压重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP6N90K5正是为此而生。这颗采用MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有900V的惊人耐压和6A的电流处理能力，旨在让您轻松驾驭开关电源、电机驱动等高压应用场景。

它的核心价值在于卓越的能效表现。凭借优化的技术，它在10V驱动下可实现低至1.1欧姆的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。TO-220封装提供了强大的散热能力，结合高达110W的功率耗散上限，确保其在繁重工作中依然稳定可靠。选择它，就是为您的设计选择了一份高效与耐久的双重保障。