STP75N75F4

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够在高功率应用中保持冷静、高效运行的功率器件，将如何彻底改变您的设计方案。今天，我们向您隆重介绍意法半导体的明星产品STP75N75F4，它正是为解决这些核心挑战而生。凭借其卓越的DeepGATE和STripFET技术，这颗功率MOSFET将低导通电阻与超快开关性能完美结合，为您带来前所未有的效率提升和系统可靠性。

无论是工业电机驱动、大功率DC-DC转换器，还是不断电供应系统（UPS）和电焊机，STP75N75F4都能游刃有余。它高达78A的连续漏极电流和75V的漏源电压，为处理严苛的负载条件提供了坚实的保障。在伺服驱动器中，它能实现更精准、更快速的控制响应；在电源设计中，其低至11毫欧的导通电阻意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的整机效率和更小的散热器尺寸，让您的产品在市场上更具竞争力。

选择STP75N75F4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。其经典的TO-220封装确保了出色的功率耗散能力（高达150W），同时兼顾了安装的便利性与可靠性。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）让它无惧各种恶劣环境挑战。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为库存优选或特定高可靠性设计的理想选择。如需获取此型号或其他高性能ST产品，我们的合作伙伴专业的ST芯片代理团队将为您提供全面的技术支持与供应链服务，确保您的项目顺利推进。立即采用STP75N75F4，释放您设计的全部潜能，打造更强大、更高效的下一代电力电子系统！

• 型号:STP75N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP75N75F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP75N75F4 N沟道功率MOSFET就是您的答案。它专为高效功率转换而优化，其DeepGATE技术让您在高达78A的电流下，依然能享受低至11毫欧的超低导通电阻，这意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接为您提升系统整体能效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭工业电机驱动、大功率电源等应用。高达75V的耐压和出色的开关特性，确保系统运行稳定可靠。其坚固的TO-220封装和150W的功率处理能力，让您的设计在面对严苛工况时也能从容不迫，大幅提升产品的耐用性和市场竞争力。