STP7N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临功率密度与散热性能难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STP7N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh II Plus技术的强大基因，将600V的耐压能力与极低的导通电阻完美结合，为您打开了高效能电源设计的新大门。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统能耗的关键动力源泉。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STP7N60M2能够如何大显身手。其高达5A的连续漏极电流和仅为950毫欧的导通电阻，意味着在能量转换过程中损耗被大幅削减，热量产生更少，系统运行更加凉爽稳定。无论是面对工业变频器的高频开关，还是家用电器待机功耗的严苛要求，它都能游刃有余，确保您的设备在-55°C至150°C的宽广温度范围内持续可靠工作。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的高性能心脏。

那么，在众多功率器件中，为何STP7N60M2能脱颖而出？答案在于其背后卓越的价值平衡。TO-220的经典封装提供了优异的通孔安装便利性和散热能力，而极低的栅极电荷（仅8.8nC）则显著降低了驱动损耗，让您的控制电路设计更简单、更高效。这意味着您可以用更小的散热器、更精简的电路布局，实现更高的功率密度和整体系统性价比。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，专业的ST代理商将是您坚实的后盾，确保您能顺畅地将这颗高性能芯片的价值转化为最终产品的市场优势。现在就拥抱STP7N60M2，让您的下一个设计项目，从高效启航，向卓越迈进。

• 型号:STP7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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还在为电源转换效率难以提升而烦恼吗？让STP7N60M2为您带来改变！这颗采用先进MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和仅950毫欧的低导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

它高达5A的电流处理能力和优化的动态参数，让您轻松应对高频开关挑战，提升系统功率密度。经典的TO-220封装确保了出色的散热和可靠的安装。选择STP7N60M2，就是选择了一个让设计更简单、性能更卓越、产品更具竞争力的高效解决方案。