STP7N95K3

当您的电源设计面临高压、高功率的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住950V高压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STP7N95K3。这颗N沟道MOSFET不仅仅是一个电子元件，更是您构建坚固、高效电源系统的基石，其高达950V的漏源电压和7.2A的连续漏极电流，为您的设计提供了前所未有的安全裕度和功率处理能力，让您在激烈的市场竞争中，凭借产品的卓越可靠性与能效脱颖而出。

想象一下，在工业电源、服务器电源、电机驱动乃至新能源充电桩等关键应用中，系统需要长时间稳定运行，任何微小的功率损耗或热失控都可能导致灾难性后果。STP7N95K3正是为此而生。它采用先进的SuperMESH3技术，将导通电阻（RdsOn）优化至极低水平，在10V驱动电压下，仅需1.35欧姆即可通过3.6A电流，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。配合其高达150W的功率耗散能力，这颗芯片能轻松应对高负荷工作，确保您的设备即使在-55°C到150°C的宽温范围内也能冷静运行，大幅延长产品寿命，减少维护成本。

选择STP7N95K3，就是选择了一份放心的保障和卓越的性能。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源系统频率可以做得更高，体积更小，效率却显著提升。经典的TO-220-3封装，不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。无论您是设计新一代高效适配器，还是升级工业变频器，这颗芯片都能让您的方案如虎添翼。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能为您提供原装正品和具有竞争力的价格，更能提供专业的技术支持和充足的库存保障，让您的创新之旅畅通无阻。立即采用STP7N95K3，开启高效、可靠、节能的电源设计新篇章！

• 型号:STP7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP7N95K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压电源设计的效率与可靠性头疼吗？让STP7N95K3来为您分忧！这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，是您攻克高压挑战的得力助手。

它拥有高达950V的击穿电压和7.2A的连续电流能力，让您的电源、电机驱动或充电设备面对电压波动时稳如泰山。其核心价值在于卓越的高效性能：极低的导通电阻（1.35Ω @10V）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，从而提升整体系统效率，并减少散热设计压力。

选择它，意味着您选择了一个经过验证的、可靠的解决方案，能让您的产品在能效和稳定性上赢得关键优势，轻松应对严苛的应用环境。