STP7NK30Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP7NK30Z技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STP7NK30Z。这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其300V的耐压能力和5A的连续漏极电流，为您的设计注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个开关器件，更是提升整机性能、保障长期运行可靠性的关键基石。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或DC-DC转换器等高压应用场景中，STP7NK30Z能够轻松应对。其卓越的SuperMESH技术显著降低了导通电阻，在10V驱动电压下，典型值仅为900毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（典型13nC）和输入电容，则让开关速度更快，开关损耗大幅降低，从而让您的系统整体效率跃升到一个新高度。无论是面对频繁启停的电机控制，还是要求高效节能的电源模块，它都能游刃有余。

选择STP7NK30Z，就是选择了一份经过市场验证的安心。TO-220AB的经典封装提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在严苛环境下依然稳定如初。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和可靠性使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具价值。当您需要为经典设计寻找可靠元件或进行备货时，通过值得信赖的ST代理商进行咨询与采购，是获得正品保障和专业技术支持的最佳途径。让这颗凝聚了ST尖端工艺的功率器件，成为您打造高效、耐用产品的强大心脏。

型号:STP7NK30Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 300V 5A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任，同时保持高效冷静的功率器件吗？STP7NK30Z正是为此而生！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有300V的漏源电压和5A的连续电流处理能力，让您在开关电源、电机控制等高压应用中从容应对。

它的核心魅力在于极低的导通损耗与出色的开关性能。900毫欧的超低导通电阻（@10V, 2.5A）意味着更少的能量以热量形式浪费，而13nC的低栅极电荷则让开关动作迅捷无比，显著提升系统整体效率。TO-220AB封装提供了强大的散热能力，确保芯片在高达50W的功率耗散下和-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，让您的设计不仅高效，而且无比可靠。