STP7NM60N

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP7NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其600V的耐压能力和5A的连续电流，已经成为众多工程师在中小功率应用中的信心之选。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统复杂度的关键赋能元件。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器项目中，STP7NM60N能够轻松应对高压环境，其MDmesh II技术带来了极低的导通电阻（典型值远低于900毫欧）和出色的开关特性。这意味着更少的热量产生，更高的能源转换效率，让您的终端产品运行更凉爽、更持久。无论是工业控制设备中的辅助电源，还是家用电器中的电机调速，这颗芯片都能以稳定的表现，确保系统在各种工况下都保持强劲动力。

选择STP7NM60N，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术积淀与品质承诺。其TO-220封装提供了优异的散热能力和便捷的安装方式，大幅简化了您的生产流程。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的适用性，使其在存量市场及特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。为确保您获得正品保障与可靠供应，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购，这不仅是对项目质量的负责，更是对未来稳定生产的投资。让STP7NM60N成为您经典设计中那颗最可靠的心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STP7NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP7NM60N，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STP7NM60N正是为您而来！这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和5A的强劲电流能力，能轻松成为您电源转换和电机控制电路中的核心动力开关。

它凭借优化的栅极电荷和低导通电阻，显著降低了开关损耗和导通损耗，让您的系统效率更高、发热更少。其经典的TO-220封装确保了出色的散热性能和便捷的装配，大幅简化您的设计工作。选择它，就是为您的产品注入了ST意法半导体的卓越基因，助力您打造更高效、更可靠的电力电子解决方案。