STP80N70F4

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题所困扰？现在，让我们向您介绍一个卓越的解决方案STP80N70F4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其68V的漏源电压和高达85A的连续漏极电流能力，为您的高功率应用注入强劲而稳定的核心动力。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、降低运营成本的关键钥匙。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或者高频开关电源中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STP80N70F4凭借其先进的STripFET和DeepGATE技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的9.8毫欧（@40A, 10V）。这意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传输，而非浪费在发热上。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关切换，显著降低了开关损耗，让您的系统即使在严苛的工况下也能保持冷静、高效运行。

选择STP80N70F4，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其坚固的TO-220AB封装能够承受高达150W的功率耗散，宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）使其无惧环境挑战。无论是应对突发的电流冲击，还是需要在紧凑空间内实现高功率密度，它都能游刃有余。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅为您提供原装正品保障，更能带来专业的技术支持与供应链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。让STP80N70F4成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STP80N70F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP80N70F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STP80N70F4正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有68V耐压和85A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的9.8毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它采用了ST先进的STripFET技术，优化了开关性能，帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低整体系统成本。无论是用于工业电源、电机控制还是功率转换，STP80N70F4都能提供稳定可靠的性能，让您的产品在能效和可靠性上脱颖而出。