STP80NF55-06 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP80NF55-06技术参数详情：

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统可靠性而困扰？现在，一颗性能卓越的功率开关器件将彻底改变您的设计体验。我们隆重向您推荐STP80NF55-06，这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达80A的连续漏极电流和仅为6.5毫欧的超低导通电阻，为您带来前所未有的高效能与高功率密度解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在伺服驱动器、工业电源或高频DC-DC转换器中，每一次开关动作都伴随着能量的损耗与热量的产生。STP80NF55-06凭借其先进的STripFET II技术，将导通电阻（Rds(on)）降至极低水平，这意味着在相同电流下，芯片自身的功耗更小，产生的热量显著减少。这不仅直接提升了系统的整体效率，更能让您的散热设计变得更加轻松，甚至允许您采用更紧凑的布局或更小的散热器，从而优化整机体积与成本。其高达300W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在严苛的工业环境或持续高负载运行下依然稳定可靠，让您的产品无惧挑战。

为何众多工程师在面临关键选型时，会毫不犹豫地选择它？答案在于其卓越的综合价值。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）特性，使得驱动电路的设计更为简单高效，能够实现更快的开关速度，这对于提升开关电源频率、减小磁性元件体积至关重要。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的通流能力与成熟的安装工艺，无论是原型验证还是大规模生产都游刃有余。当您需要稳定、高品质的货源与专业的技术支持时，选择与值得信赖的ST一级代理合作，是确保项目顺利推进、获得正品保障与最优供应链服务的最佳途径。选择STP80NF55-06，就是选择了一份对性能的极致追求、对可靠性的坚实承诺，它将助您轻松驾驭高功率应用，释放设计的无限潜能。

型号:STP80NF55-06
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案既强劲又高效的核心开关吗？STP80NF55-06正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有55V的漏源电压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻仅6.5毫欧，能大幅降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，效率显著提升。

它采用成熟的TO-220AB封装，易于安装和散热。更值得一提的是，其优化的栅极电荷和开关特性，让您能够轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作，从而提升整体响应速度与功率密度。无论是用于构建高效的DC-DC转换器、可靠的电机控制器，还是稳健的电源开关，STP80NF55-06都能以卓越的性能和稳定性，成为您项目中值得信赖的功率基石。