STP80NF55-06FP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP80NF55-06FP技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换与电机驱动设计中，您是否还在为寻找一款能在高电流下保持低损耗、同时具备出色热性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STP80NF55-06FP。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其55V的耐压和高达60A的连续电流能力，自问世以来就成为了众多高效能设计的核心之选。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键拼图。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动器或高功率DC-DC转换器中，STP80NF55-06FP正发挥着核心作用。其核心魅力在于STripFET II技术带来的超低导通电阻在40A电流、10V驱动电压下，Rds(On)最大值仅为6.5毫欧。这意味着在传导过程中，电能几乎毫无阻碍地通过，绝大部分能量都用于驱动负载，而非转化为令人头疼的热量。更低的损耗直接转化为更高的系统效率、更小的散热器需求以及更安静、更可靠的整体运行。无论是应对严苛的工业环境，还是满足消费类产品对紧凑空间的要求，它都能游刃有余。

选择STP80NF55-06FP，就是选择了一份经过时间考验的可靠性与性能保障。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，也兼顾了良好的散热特性，确保芯片在高达175°C的结温下依然稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标使其在存量市场和特定升级项目中依然极具价值。对于需要稳定供应和专业技术支持的客户，通过正规的ST授权代理渠道进行采购，是确保获得正品、获取完整技术资料以及后续支持的最佳途径。让这颗经典的功率器件，为您的下一个设计注入高效与可靠的基因，简化您的开发流程，加速产品上市。

型号:STP80NF55-06FP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220FP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 60A TO220FP
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220FP
封装/外壳:TO-220-3 整包
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还在为电源和电机控制中的开关损耗与散热问题头疼吗？让STP80NF55-06FP来为您分忧！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您实现高效功率控制的得力助手。

它拥有55V的耐压和高达60A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅6.5毫欧@40A）。这意味着它能大幅减少导通时的能量损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高，直接帮助您降低散热成本、提升产品可靠性。无论是驱动电机、管理电源转换，还是其他需要快速、高效开关的场合，它都能让您的设计轻松应对高电流挑战。