STP80NF55L-06 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP80NF55L-06技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持低损耗与出色热性能的功率开关而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍意法半导体STripFET II家族中的明星成员STP80NF55L-06。这款N沟道MOSFET不仅仅是一个组件，它是您提升系统整体性能、迈向更高能效等级的强大引擎。其高达80A的连续漏极电流承载能力和仅为6.5毫欧的超低导通电阻，意味着在相同的功率输出下，它能将更多的电能转化为有效功，而非无谓的热量，直接为您带来更低的运营成本和更长的设备寿命。

想象一下，在工业电机驱动、高频开关电源、不间断电源（UPS）系统或是高性能DC-DC转换器中，STP80NF55L-06正以其卓越的性能稳定运行。它55V的漏源电压和高达300W的功率耗散能力，为应对各种严苛的瞬态冲击和持续高负载提供了坚实的保障。无论是驱动一台精密的伺服电机，还是在数据中心保障关键服务器的电力供应，这颗芯片都能确保您的系统响应迅速、运行平稳。其宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更是让它无惧严寒酷暑，在多样化的环境挑战下依然保持可靠，让您的产品设计拥有更广阔的应用疆域。

选择STP80NF55L-06，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其成熟的TO-220AB封装不仅便于安装和散热管理，也经过了市场的长期验证。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这能显著简化您的驱动电路设计，提升系统整体频率和响应速度。当您需要可靠的原厂品质与稳定的供货支持时，选择一家值得信赖的ST芯片代理至关重要，它能确保您获得正品芯片与专业的技术服务，让您的创新之路畅通无阻。让STP80NF55L-06成为您下一个成功产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STP80NF55L-06
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:300W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能轻松驾驭大功率、同时保持冷静与高效的动力核心吗？STP80NF55L-06正是为您而来。这颗来自意法半导体STripFET II系列的N沟道MOSFET，拥有80A的强大电流处理能力和低至6.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的TO-220AB封装，支持高达300W的功率耗散，并能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。其优化的栅极特性让驱动设计更简单，开关更迅速。选择它，就是为您的设备注入一颗强劲、可靠且能效出众的“心脏”，轻松应对高负载挑战，全面提升产品竞争力。