STP80PF55

在追求极致效率与可靠性的功率转换领域，您是否还在为寻找一颗既能承载大电流，又能保持低温高效运行的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STP80PF55。这颗来自意法半导体STripFET II家族的明星产品，以其高达80A的连续漏极电流和仅为18毫欧的超低导通电阻，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您系统稳定、高效运行的坚实保障。

想象一下，在您的电机驱动系统中，每一次精准的启停控制都要求开关器件反应迅捷且损耗极低。STP80PF55凭借其优化的栅极电荷和输入电容，能够实现快速的开关切换，显著降低开关损耗，让电机运行更平滑，能耗更低。在DC-DC转换器或电源管理模块中，其55V的漏源电压和强大的电流处理能力，足以应对各种严苛的输入输出条件，确保电源转换过程稳定高效，大幅减少热量产生，延长整个系统的使用寿命。无论是工业自动化设备中的驱动单元，还是高性能计算设备的辅助电源，它都能游刃有余，成为工程师信赖的核心部件。

选择STP80PF55，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与卓越性能。其TO-220AB的经典封装，提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，简化了您的生产流程。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用验证使其成为特定高可靠性项目或库存备货的绝佳选择。通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，为您的经典设计或维护需求提供持续支持。这颗芯片承载的不仅是电流，更是意法半导体对功率密度与能效不懈追求的工程智慧，选择它，让您的产品在性能与稳定性的道路上始终领先一步。

• 型号:STP80PF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:258 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP80PF55，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、高效节能的功率开关吗？STP80PF55正是为您而来！这颗P沟道MOSFET拥有80A的强大电流处理能力和低至18毫欧的导通电阻，能显著降低您在电机驱动、电源转换等应用中的导通损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

它采用成熟的STripFET II技术，开关特性优异，配合经典的TO-220AB封装，散热性能出众，安装简便。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保它在各种严苛环境下稳定工作，是提升您产品功率密度和可靠性的得力助手。