STP8N90K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要承受高达900V的电压冲击，同时还要保证高效、稳定的能量转换时，选择一款核心开关器件就变得至关重要。今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP8N90K5，这颗来自ST意法半导体的高压MOSFET，正是为突破极限、释放系统潜能而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STP8N90K5能够轻松驾驭900V的漏源电压和8A的连续电流。它采用了先进的MDmesh K5技术，这项技术专为优化开关损耗和导通电阻而设计，意味着在高压高频的开关动作中，它能显著减少能量损失，让您的整机效率轻松跃升一个新台阶。其高达130W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作温度范围，确保了即使在最严苛的环境下也能稳定运行，为您的产品提供了坚实的可靠性保障。

无论是面对复杂的工业自动化场景，还是要求严苛的通信电源设备，这颗芯片都能完美融入。它的TO-220封装形式成熟可靠，便于安装和散热设计，让工程师能够更灵活地进行系统布局。当您需要构建一个既高效又坚固的功率转换核心时，STP8N90K5提供的不仅仅是一个组件，更是一份值得信赖的性能承诺。通过与专业的ST代理商合作，您可以获得从选型支持到稳定供应的全程服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

选择STP8N90K5，就是选择了一种面向未来的设计思路。它让您无需在性能与成本之间艰难权衡，其卓越的电气特性和稳健的物理特性，直接转化为您终端产品更强的市场竞争力和更长的生命周期。现在就开始使用它，为您的下一个电源或驱动项目注入强大的心脏，体验高效、可靠与安心并存的卓越性能。

• 型号:STP8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP8N90K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STP8N90K5来为您轻松化解！这颗N沟道高压MOSFET，凭借其900V的耐压和8A的电流能力，能成为您电源、电机驱动或照明系统中高效能量转换的核心开关。

它采用了ST先进的MDmesh K5技术，显著优化了动态性能，帮助您大幅降低开关损耗，提升整体系统效率。同时，TO-220封装和130W的功率处理能力，让您的散热设计更简单，系统运行更稳定可靠。

选择它，就是选择了一条通往更高性能、更优能效的捷径，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。