STP8NM50N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP8NM50N技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为寻找一款兼具性能与成本优势的高压开关器件而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP8NM50N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压能力和5A的连续电流，为您的设计注入强大而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现高效能量转换的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）中，无论是反激式还是正激式拓扑，STP8NM50N都能凭借其出色的MDmesh II技术，显著降低导通损耗和开关损耗，让整机效率轻松攀升。在PFC（功率因数校正）电路中，它同样游刃有余，帮助您轻松满足严苛的能效法规。而对于那些需要可靠驱动的电机控制、照明镇流器或是工业电源，这颗芯片的坚固性与高工作结温（高达150°C）确保了系统在恶劣环境下依然稳定运行，大幅延长了产品的使用寿命。

选择STP8NM50N，就是选择了一份安心与超值。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动需求，让您的驱动电路设计更简单、成本更低。经典的TO-220AB封装提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，无论是原型验证还是批量生产都极其友好。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，确保您能快速获得产品并得到专业支持。让STP8NM50N成为您下一个成功项目的基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STP8NM50N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:364 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:45W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在设计需要处理数百伏电压的电源或电机驱动吗？STP8NM50N就是为您而来的高效开关核心。它能让您轻松驾驭500V的高压，流畅通过5A的电流，将电能高效、可控地传递到负载端，是提升系统整体能效的得力助手。

得益于先进的MDmesh II技术，这颗芯片在导通时电阻极低，意味着更少的热量产生和更高的效率。同时，其优化的动态参数让开关过程干净利落，显著降低开关损耗，让您的电源工作得更凉爽、更安静。无论是用于构建紧凑型的开关电源，还是驱动电机及照明设备，STP8NM50N都能以出色的可靠性和性能，让您的产品在市场中脱颖而出。