STP90N4F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP90N4F3技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高电流下稳定工作、同时保持超低损耗的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP90N4F3。这颗来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，以其高达80A的连续漏极电流和仅为6.5毫欧的超低导通电阻，重新定义了40V应用场景下的性能标杆。它不仅意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，更代表着您的产品在激烈的市场竞争中，拥有了更强劲、更冷静的“心脏”。

想象一下，在电动工具强劲的启动瞬间，在服务器电源繁重的负载切换中，或是在汽车辅助系统需要可靠驱动的每一个环节，STP90N4F3都能游刃有余。其TO-220AB的经典封装，提供了出色的功率耗散能力（高达110W），确保在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定运行。无论是工业电机驱动、DC-DC转换器，还是各类电源管理应用，它都能让您的设计告别过热降额的困扰，实现持续的高功率输出，让终端用户体验到更持久、更强劲的动力表现。

选择STP90N4F3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它继承了STripFET III技术的全部精华，极低的栅极电荷（54nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更加敏捷，整体能效再上一个台阶。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在库存及特定领域仍具有极高的选用价值。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购。这不仅是获得一颗高性能芯片，更是为您的项目引入了一份由业界巨头背书的品质保障与长期价值，助力您的产品在性能与可靠性上赢得最终胜利。

型号:STP90N4F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能扛起高电流重任，同时又将能量损耗降至最低的功率开关吗？STP90N4F3正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有80A的强大电流处理能力和低至6.5毫欧的导通电阻，能显著降低您系统中的传导损耗，直接将效率提升转化为产品的竞争优势和更长的运行时间。

它采用成熟的TO-220AB封装，散热能力出众，配合宽达-55°C至175°C的工作结温，确保您的设计即使在最苛刻的环境下也能稳定输出高达110W的功率。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，STP90N4F3都能让您轻松构建更高效、更可靠的电力核心，简化热管理设计，让产品性能更加游刃有余。