STP90N6F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP90N6F6技术参数详情：

当您的电源转换系统面临效率瓶颈，或电机驱动项目因散热和体积问题而停滞不前时，您是否渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的“心脏”？今天，我们为您带来的STP90N6F6，正是意法半导体基于先进STripFET VI技术打造的N沟道功率MOSFET，它将以卓越的电气特性，重新定义您对60V级别功率器件的期待。

想象一下，在您的DC-DC转换器或电机驱动电路中，这颗芯片能够轻松承载高达84A的连续电流，而其导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压下低至惊人的6.8毫欧。这意味着什么？这意味着更低的导通损耗，更少的热量产生，以及整体系统效率的显著提升。无论是面对工业自动化中频繁启停的电机，还是服务器电源中要求严苛的同步整流应用，STP90N6F6都能提供稳定、强劲的动力输出，确保您的设备在高效节能的轨道上稳健运行。

它的价值远不止于参数表。高达136W的功率耗散能力与175°C的结温，赋予了它出色的热性能和可靠性，让您的设计在恶劣环境下也能游刃有余。采用经典的TO-220封装，既便于安装散热，又经过了市场的长期验证。虽然该型号目前已停产，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得稳定优质的库存，为现有产品的维护与升级提供坚实保障。选择STP90N6F6，不仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份来自意法半导体尖端技术和稳定供应链的承诺，让您的产品在性能与可靠性的双重赛道上持续领先。

型号:STP90N6F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO220
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 38.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4295 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:136W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在为寻找一颗能同时满足高效率、大电流和出色热管理的功率开关而烦恼吗？STP90N6F6正是您的理想解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V的漏源电压和高达84A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的6.8毫欧导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET VI技术，不仅开关性能优异，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。高达136W的功率耗散能力和175°C的结温，确保了其在重载工况下的长期可靠性。无论是用于提升现有设计的能效，还是为关键设备提供稳定的功率切换保障，STP90N6F6都能让您轻松应对挑战，实现更卓越的产品性能。