STP95N4F3 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP95N4F3技术参数详情：

想象一下，当您的电源转换系统需要处理高达80A的电流时，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，这一切都将迎刃而解。我们隆重推出意法半导体的新一代功率开关解决方案STP95N4F3，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统效率、降低整体成本的秘密武器。凭借其革命性的STripFET III技术，这颗芯片在性能与可靠性之间达到了前所未有的平衡，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业电机驱动、服务器电源，还是高功率DC-DC转换器，STP95N4F3都能游刃有余。其40V的漏源电压和80A的连续漏极电流，为严苛的应用环境提供了坚实的保障。更令人惊叹的是，在10V驱动电压下，其导通电阻低至惊人的6.2毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。当系统在高效运行时，您能直观地感受到能耗的显著下降和稳定性的全面提升，这正是卓越工程带来的价值体现。

选择STP95N4F3，就是选择了一份安心与高效。其极低的栅极电荷（仅54nC）和输入电容，确保了快速的开关速度，让您的系统响应更加敏捷。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的TO-220AB封装，赋予了它无与伦比的环境适应性和耐用性。当您需要可靠的原厂品质和稳定的供货支持时，选择一家资深的ST芯片代理至关重要，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP95N4F3成为您下一个成功项目的核心动力，开启高效、可靠、节能的新篇章。

型号:STP95N4F3
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:110W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP95N4F3正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET III技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于超低的6.2毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松实现快速的开关控制，得益于其优化的栅极电荷特性，系统响应速度得以提升。同时，其坚固的TO-220AB封装和宽达-55°C至175°C的工作结温，确保了在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。选择STP95N4F3，就是为您的产品注入了强劲、高效且可靠的心脏。