STP9N60M2 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP9N60M2技术参数详情：

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，工程师们是否常常面临开关损耗与散热压力的双重挑战？现在，一个卓越的解决方案已经到来STP9N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和5.5A的连续漏极电流，为您的高压开关应用注入强劲而可靠的核心动力。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品性能、降低系统复杂度的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STP9N60M2能够大显身手。它基于先进的MDmesh II Plus技术平台打造，这意味着它拥有极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）。在实际运行中，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，让您的电源系统效率显著提升，同时发热量得到有效控制。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是家用电器中的高效电源模块，它都能确保系统在高温高负荷下稳定运行，将150°C的高结温（TJ）能力转化为实实在在的可靠性保障。

选择STP9N60M2，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其经典的TO-220封装不仅便于安装和散热，也意味着成熟的供应链和出色的性价比。更低的栅极驱动需求简化了您的驱动电路设计，让整体方案更精简、成本更优化。当您需要可靠的技术支持和稳定的货源时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP9N60M2成为您下一个成功产品的坚实基石，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STP9N60M2
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:60W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效运行与出色可靠性的功率开关管吗？STP9N60M2正是为您而来。这颗采用MDmesh II Plus技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，其核心价值在于极低的780毫欧导通电阻和优化的动态特性，能显著降低您在开关电源、电机控制等应用中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

它让您轻松应对严苛的工作环境，高达150°C的结温工作范围和60W的功率耗散能力，提供了充足的可靠性余量。无论是简化驱动设计，还是提升整体能效，STP9N60M2都能成为您设计中高效且值得信赖的功率核心。