STP9NK70Z - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STP9NK70Z技术参数详情：

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？当面对严苛的工业环境或需要长时间稳定运行的消费类电源时，选择一颗性能卓越的功率开关器件，往往是决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族中的一颗经典之作STP9NK70Z，它虽然已进入停产状态，但其卓越的性能和久经考验的可靠性，使其在特定应用和库存市场中依然闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，这颗N沟道MOSFET正以其高达700V的漏源击穿电压从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰。7.5A的连续漏极电流能力，配合SuperMESH技术带来的超低导通电阻，意味着更低的传导损耗和更出色的温升表现。这直接转化为您的终端产品无论是家用电器、工业电源还是LED驱动能够运行得更凉爽、更持久，将电能更高效地转化为有用的输出，而非无谓的热量。选择可靠的ST芯片代理，是确保您能获得正品库存、获得专业选型支持，从而让经典器件继续发挥余热的重要一环。

它的价值远不止于参数表。TO-220AB的经典封装形式，为工程师提供了熟悉的安装和散热解决方案，简化了从设计到生产的过渡。尽管产品状态显示为停产，但对于许多已定型并稳定量产的项目，或是那些对成本极其敏感且对性能有明确要求的应用场景，STP9NK70Z依然是经过时间验证的可靠选择。它代表了一个时代的技术标杆，其稳健的表现足以应对从-55°C到150°C的广阔结温范围挑战。当您需要一款能够扛住高压、流通适中电流、并以出色性价比完成任务的功率开关时，回顾并选用这样一颗经典器件，往往是最务实、最稳健的工程决策之一。

型号:STP9NK70Z
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-220
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:115W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-220
封装/外壳:TO-220-3
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还在寻找一颗能扛住高压、高效开关的“中坚力量”吗？STP9NK70Z正是为您而来。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有700V的高压耐受能力和7.5A的电流处理能力，专为要求严苛的开关应用而设计。

它能为您做什么？核心就是让您的电源转换更高效、更可靠。其采用的先进技术显著降低了导通电阻和栅极电荷，这意味着更低的开关损耗和传导损耗。无论是用于离线式开关电源、功率因数校正，还是照明镇流器，它都能帮助您提升整体能效，减少热量产生，从而让您的系统运行更稳定、寿命更长久。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的性能保障。