STQ1NK80ZR-AP

当您需要一款能在高压环境下稳定工作，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就隐藏在STQ1NK80ZR-AP这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、简化设计流程、赢得市场竞争力的关键伙伴。源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗芯片天生就拥有应对严苛电力环境的强大基因，其高达800V的漏源击穿电压，为您的高压应用构筑了坚实的安全防线，让您在追求效率与功率的道路上，每一步都走得更加自信从容。

想象一下，在那些对空间和成本都极为敏感的离线式开关电源、LED驱动或小功率适配器中，每一瓦的损耗都至关重要，每一分钱的物料成本都需精打细算。STQ1NK80ZR-AP正是为此类场景量身打造。它凭借仅16欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），显著降低了开关过程中的导通损耗，将更多电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量。这意味着您的终端产品不仅能运行得更“冷静”，还能在能效指标上脱颖而出，轻松满足日益严格的全球能效标准。无论是为智能家居设备提供稳定电力，还是驱动工业控制单元中的辅助电源，它都能成为电路中那个默默奉献、却至关重要的“能量守门员”。

选择STQ1NK80ZR-AP，就是选择了一份由顶尖技术与成熟工艺背书的质量承诺。其极低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关响应，让您的电源设计能够工作在更高的频率，从而有可能使用更小体积的磁性元件，进一步优化整体方案尺寸与成本。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，都能稳定如一。更重要的是，通过值得信赖的ST代理渠道，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，还能获取专业的技术服务，让您的产品从设计到量产全程无忧。让这颗集高性能、高可靠性、高性价比于一身的功率MOSFET，成为您下一个成功产品的强大心脏。

• 型号:STQ1NK80ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):300mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• 现在可以订购STQ1NK80ZR-AP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为高压小功率开关电路的选择而犹豫吗？STQ1NK80ZR-AP这颗N沟道MOSFET，就是为您简化设计、提升效率的得力助手。它基于ST先进的SuperMESH技术，拥有高达800V的耐压和仅300mA的连续漏极电流能力，让您在小功率离线电源、LED驱动、家用电器辅助电源等应用中，轻松实现高效、可靠的功率切换。

这颗芯片能为您做什么？它极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接帮助您提升系统整体能效，并允许使用更小的外围元件。其坚固的TO-92-3封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了在各种环境下的长期稳定运行，让您的产品品质更加值得信赖。