STQ2NK60ZR-AP

您是否正在为高电压、小功率的开关应用寻找一颗既可靠又经济的解决方案？当电路设计需要在600V的电压环境下稳定工作，同时又要严格控制成本和空间时，STQ2NK60ZR-AP这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，正是您期待已久的答案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。

想象一下，在紧凑的离线式开关电源（SMPS）辅助电源、小功率LED驱动或是家用电器中的辅助电源管理模块里，空间往往极为有限，散热条件也颇具挑战。STQ2NK60ZR-AP凭借其经典的TO-92-3封装，能够轻松融入这些高密度布局，而其高达600V的漏源电压（Vdss）和400mA的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚固的电气屏障。它就像一位沉默而强大的守护者，确保在高压冲击下系统依然稳定运行，让您的产品在严苛环境下也能展现卓越的可靠性。

这颗芯片的魅力远不止于此。它采用了意法半导体引以为傲的SuperMESH技术，这项技术意味着在相同的芯片面积下，它能实现更低的导通电阻和更优的开关性能。具体到STQ2NK60ZR-AP，其导通电阻在10V驱动电压下仅为8欧姆，配合极低的栅极电荷（Qg），共同带来了更低的导通损耗和开关损耗。这意味着您的设备运行更高效，产生的热量更少，从而有助于延长整体系统的使用寿命，并简化散热设计。对于追求能效和长期稳定性的您来说，这无疑是巨大的价值提升。

选择STQ2NK60ZR-AP，就是选择了一个经过市场长期验证的成熟方案。尽管其零件状态显示为停产，但这恰恰证明了其在特定应用领域的经典地位和巨大的存量需求，对于许多仍在生产或维护相关设备的工程师而言，它依然是不可或缺的关键部件。此时，与一个可靠的ST芯片代理合作，确保获得正品且供应稳定的元器件，就显得至关重要。它能帮助您有效管理供应链风险，确保生产计划的顺利进行。从高效的能源转换到可靠的电路保护，从简化设计到降低成本，STQ2NK60ZR-AP以其扎实的参数和卓越的技术基因，持续为各类小功率高压应用注入活力与信心。

• 型号:STQ2NK60ZR-AP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-92-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
• 包装:带盒（TB）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-92-3
• 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
• 现在可以订购STQ2NK60ZR-AP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在为小功率高压开关电路的选择而犹豫吗？让STQ2NK60ZR-AP来为您分忧。这颗N沟道MOSFET是意法半导体SuperMESH家族的经典成员，它能轻松驾驭高达600V的电压，并以高达400mA的电流为您提供稳定可靠的开关控制。

它专为高效而生。得益于先进的SuperMESH技术，它拥有较低的导通电阻和栅极电荷，这意味着在开关过程中能量损耗更小，让您的设备运行更凉爽、更节能。无论是用于电源辅助启动、LED驱动还是其他需要高压小电流开关的场合，它都能帮助您简化设计，提升整体系统的效率和可靠性。

采用坚固的TO-92-3通孔封装，安装简便，适应性强。选择它，就是为您的项目选择了一份经过验证的性能保障，让您能够更专注于核心功能的创新与优化。