STQ3NK50ZR-AP - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STQ3NK50ZR-AP技术参数详情：

当您需要一款能够在高压环境下稳定工作、同时兼顾成本效益的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STQ3NK50ZR-AP这颗经典的N沟道MOSFET中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、可靠电源系统的坚实基石。凭借其高达500V的漏源电压和SuperMESH技术的加持，它能在严苛的电气环境中游刃有余，将开关损耗降至更低，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

想象一下，在紧凑的离线式开关电源、LED驱动或是家用电器辅助电源中，空间和散热往往是设计的瓶颈。STQ3NK50ZR-AP以其经典的TO-92-3通孔封装，提供了极佳的安装便利性和成熟的散热路径。其500mA的连续漏极电流能力，配合仅3.3欧姆的低导通电阻，意味着它在导通时产生的热量更少，电能转换效率更高。这直接转化为更长的设备寿命、更低的运行温度以及最终用户更满意的使用体验。无论是应对市电整流后的高压，还是在功率因数校正电路中扮演关键角色，它都能稳定胜任。

选择STQ3NK50ZR-AP，意味着您选择了一份经过市场长期验证的可靠性。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了从寒冷环境到高温机箱内部的全天候稳定运行。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其在存量市场、特定项目或对经典设计有延续性要求的场景中，依然具有不可替代的价值。当您需要稳定可靠的货源时，可以信赖专业的ST芯片代理，他们能为您提供完善的供应链支持与技术服务。这颗芯片所代表的，是意法半导体在功率器件领域深厚的技术积淀，它用实实在在的参数和久经考验的品质，为您的创意与设计保驾护航，让高效电能管理变得简单而可靠。

型号:STQ3NK50ZR-AP
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-92-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3
包装:带盒（TB）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 1.15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-92-3
封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
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还在为高压小功率电路的开关器件选型而犹豫吗？让STQ3NK50ZR-AP来为您提供清晰高效的解决方案。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达500V的击穿电压和500mA的电流处理能力，专为要求苛刻的开关应用而生。

它的核心价值在于让您的设计更高效、更可靠。仅需10V驱动电压即可实现优异的导通特性，最大3.3欧姆的导通电阻能显著降低开关过程中的功率损耗。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，让开关速度更快，系统响应更迅捷。无论是构建紧凑的电源模块，还是驱动LED阵列，它都能帮助您轻松实现高性能与高可靠性的完美平衡。