STS10N3LH5

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗MOSFET能够将导通电阻降至惊人的21毫欧，同时将栅极电荷控制在仅4.6nC，这意味着什么？这意味着更低的功耗、更少的发热以及前所未有的效率提升。这正是STS10N3LH5带来的核心价值它不仅仅是一个开关，更是您系统迈向高效节能的关键一步。

无论是紧凑型DC-DC转换器、高效的电机驱动，还是需要精密控制的负载开关，STS10N3LH5都能游刃有余。其30V的漏源电压和10A的连续漏极电流，为各类中低压应用提供了坚实的性能基础。得益于STripFET V技术的加持，它在提供强大电流处理能力的同时，保持了极低的导通损耗。当您的设计面临空间狭小的挑战时，其小巧的8-SO封装便成为一大优势，轻松集成到高密度的PCB布局中，从便携式设备到车载电子，从工业控制到消费类产品，它都能成为可靠的能量枢纽。

选择STS10N3LH5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它能够在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，确保了产品在各种环境下的可靠性。极低的驱动电压需求（最低4.5V）简化了驱动电路设计，让您的系统响应更快、控制更精准。当您需要构建高效、可靠且具成本竞争力的电源路径时，这颗芯片提供的不仅仅是参数，更是一整套解决方案。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST芯片代理能够为您提供从样品到量产的全方位支持。让STS10N3LH5赋能您的下一个设计，共同开启高效电能转换的新篇章。

• 型号:STS10N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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还在为寻找一颗既能扛大电流、又拥有超低损耗的MOSFET而烦恼吗？STS10N3LH5正是为您而来的解决方案。它基于先进的STripFET V技术，在30V/10A的规格下，实现了低至21毫欧的导通电阻和仅4.6nC的栅极电荷，这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

这颗芯片能轻松胜任您的苛刻要求。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了极端环境下的稳定表现，而标准8-SO表面贴装封装则让您能灵活应对紧凑的板级空间。无论是提升电池续航，还是优化系统散热，STS10N3LH5都能让您的设计脱颖而出，以更少的能量损耗，释放更大的性能潜力。