STS15N4LLF3

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够显著降低导通电阻、提升整体效率的功率MOSFET，将如何为您的设计注入强劲动力。现在，STS15N4LLF3的到来，正是为了解答这一难题。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的关键伙伴。

源自ST意法半导体备受赞誉的STripFET技术平台，这颗N沟道MOSFET以其卓越的性能参数，在众多应用场景中游刃有余。无论是需要精密控制的DC-DC转换器、高效率的电源模块，还是要求快速响应的电机驱动、负载开关，STS15N4LLF3都能凭借其40V的耐压能力和高达15A的连续漏极电流，轻松应对严苛的电气环境。其低至5毫欧的导通电阻（Rds(on)）意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的发热和更高的系统效率，让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出。

选择STS15N4LLF3，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。它采用紧凑的8-SO表面贴装封装，非常适合空间受限的现代电子设计，帮助您优化PCB布局。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了其在各种恶劣环境下的稳定表现。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案支持，保障项目供应链的连续性与安全性。让STS15N4LLF3成为您下一个成功项目的坚实基石，体验ST技术带来的高效与宁静。

• 型号:STS15N4LLF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2530 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购STS15N4LLF3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STS15N4LLF3 N沟道MOSFET正是为您而来。它基于ST先进的STripFET技术，拥有40V漏源电压和15A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（典型值仅5毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效的负载切换与功率控制。无论是提升DC-DC转换器的效率，还是驱动小型电机平稳运行，其快速的开关特性和优异的栅极电荷表现，都能确保系统响应迅捷、运行可靠。采用标准的8-SO封装，便于您集成到各种紧凑设计中，是追求性能与空间平衡的理想选择。