STS17NH3LL

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内提供强劲动力、同时保持低温可靠性的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STS17NH3LL。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其STripFET技术的深厚底蕴，重新定义了30V电压等级下的性能标杆。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动控制板或负载开关应用中，STS17NH3LL正悄然发挥着核心作用。其高达17A的连续漏极电流承载能力，配合低至5.7毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和更高的整体能效。无论是驱动小型电机高速运转，还是在便携设备的电源路径管理中实现快速、干净的开关，它都能确保能量以最直接、最有效的方式传递，显著减少热量产生，让您的系统运行更凉爽、更持久。这种高效能直接转化为更长的电池续航、更小的散热器需求，乃至更紧凑的产品设计。

选择STS17NH3LL，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其4.5V的低栅极驱动电压，使其与主流微控制器和逻辑电路完美兼容，简化了您的驱动电路设计。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了超快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要，能有效降低开关损耗，提升系统响应。宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它应对严苛环境挑战的坚韧品质。当您需要可靠、高性能的MOSFET时，通过值得信赖的ST一级代理获取正品STS17NH3LL，无疑是确保供应链稳定和产品品质的最佳途径。让它成为您下一个成功设计的强大心脏。

• 型号:STS17NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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您正在寻找一颗能显著提升系统效率与可靠性的功率开关吗？STS17NH3LL正是为您而来。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达17A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的5.7毫欧导通电阻，能大幅降低功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它具备优异的开关特性，低栅极电荷和电容让开关速度更快，损耗更小，轻松匹配您的控制逻辑。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，确保了在各种环境下的稳定表现。选择它，就是为您的设计注入一股强劲而可靠的核心动力。