STS19N3LLH6

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流、又具备出色开关性能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STS19N3LLH6。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，以其高达19A的连续漏极电流和仅为5.6毫欧的超低导通电阻，重新定义了30V应用场景下的效率标杆。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、降低能耗和缩小体积的得力助手。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动控制板或是高密度DC-DC转换器中，STS19N3LLH6正以其卓越表现大放异彩。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的电源设计在高频下也能游刃有余。无论是服务器电源、电动工具，还是汽车辅助系统，这颗芯片都能在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，提供持久可靠的动力核心。选择它，意味着为您的产品注入了来自ST意法半导体的尖端科技与品质保证。

为何众多工程师在众多选项中最终锁定了STS19N3LLH6？其根本原因在于它实现了性能与可靠性的完美平衡。DeepGATE技术带来了更强的栅极氧化物可靠性，而紧凑的8-SO封装则完美适配现代高密度PCB布局需求，帮助您节省宝贵的板级空间。尽管该型号已进入停产状态，但通过我们这样可靠的ST一级代理，您依然可以获得稳定、有保障的货源和全面的技术支持，确保您的生产计划顺利进行，项目生命周期得到有力支撑。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品长期竞争力所做的明智投资。

• 型号:STS19N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购STS19N3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能轻松驾驭19A大电流、同时将导通损耗降至最低的功率开关吗？STS19N3LLH6正是为您而来的解决方案。它采用ST先进的STripFET VI技术，在30V的电压平台上，实现了仅5.6毫欧的超低导通电阻，让您的电源转换或电机驱动应用效率大幅提升，发热显著降低。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效、快速的功率切换。其优化的栅极特性（仅17nC的栅极电荷）意味着更低的驱动损耗和更高的工作频率潜力，非常适合空间紧凑、效率至上的现代电子设备。无论是同步整流、负载开关还是电机控制，STS19N3LLH6都能以卓越的电气性能和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），为您的设计注入强劲且可靠的核心动力。