STS20N3LLH6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STS20N3LLH6技术参数详情：

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？当系统需要处理高达20A的电流时，每一个毫欧的导通电阻都意味着宝贵的能量流失和额外的热管理成本。现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的高效解决方案STS20N3LLH6。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其革命性的低导通电阻和卓越的开关性能，正在为消费电子、电源适配器、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域树立新的效率标杆。

想象一下，在紧凑的无人机电调中，需要快速精准地控制无刷电机；或者在高性能的笔记本电脑电源适配器里，必须在有限的空间内实现高效率的同步整流。这正是STS20N3LLH6大显身手的舞台。它基于先进的STripFET VI和DeepGATE技术，在30V的漏源电压下，能持续承载20A的电流，而其导通电阻在10V驱动电压下可低至惊人的4.7毫欧。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，从而让您的终端产品运行更凉爽、更持久，同时显著提升整体系统效率。其极低的栅极电荷（仅17nC @ 4.5V）确保了超快的开关速度，进一步降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。

选择STS20N3LLH6，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份对系统可靠性和能效的坚定承诺。其坚固的8-SO封装和宽达-55°C至150°C的结温工作范围，保证了它在各种严苛环境下的稳定表现。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其在特定存量项目和追求极致性价比的设计中依然极具吸引力。为了确保您能获得稳定可靠的供货渠道，我们建议您通过值得信赖的ST芯片代理进行咨询和采购，他们能为您提供专业的供应链支持和技术服务。让STS20N3LLH6成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，释放无限潜能。

型号:STS20N3LLH6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、让设备运行更凉爽的“能量开关”吗？STS20N3LLH6正是您期待的答案。这颗来自ST的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达20A的连续电流处理能力，其核心魅力在于超低的4.7毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的电源适配器、电机驱动或DC-DC转换器设计轻松实现更高能效。

它采用了先进的STripFET VI技术，配合仅17nC的低栅极电荷，确保了快速、干净的开关动作，能有效降低开关损耗，尤其适合高频应用场景。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，并支持-55°C至150°C的宽广工作结温，为您提供高效、可靠且节省空间的解决方案，助力您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。