STS5PF30L - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STS5PF30L技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为寻找一颗性能与体积完美平衡的P沟道MOSFET而烦恼？想象一下，一个仅需4.5V驱动电压就能高效导通，在30V、5A的应用中稳定可靠，同时封装小巧到足以应对任何空间挑战的解决方案这并非遥不可及，STS5PF30L正是为此而生。它来自ST意法半导体久经考验的STripFET系列，以其卓越的低导通电阻（低至55毫欧）和极低的栅极电荷，为您带来前所未有的高效率与低功耗体验，让能量在您的系统中流动得更加顺畅、损失更少。

无论是便携式设备的负载开关、电池保护电路，还是DC-DC转换器中的同步整流与功率路径管理，STS5PF30L都能游刃有余。其P通道特性简化了高端驱动的设计，让您在构建系统时更加得心应手。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在严苛环境下的稳定表现，无论是炎夏还是寒冬，都能成为您产品可靠性的坚实基石。当您需要专业的选型支持与稳定的供货渠道时，可以随时咨询我们的ST代理商，获取最及时的技术与商务服务。

选择STS5PF30L，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向高效、紧凑未来的设计哲学。它2.5W的功率耗散能力与表面贴装的8-SO封装，完美契合了现代电子产品对小型化、高集成度的不懈追求。虽然该型号目前已停产，但其成熟的设计和出色的性能参数，依然在诸多存量项目和特定应用中闪耀着价值。让它成为您优化电路、提升产品竞争力的秘密武器，在激烈的市场竞争中，凭借稳定高效的电源管理细节赢得先机。

型号:STS5PF30L
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭30V电压、5A电流，同时驱动简单、效率出众的P沟道MOSFET？STS5PF30L正是您的理想之选。它基于ST先进的STripFET技术，在仅4.5V的低驱动电压下即可实现高效导通，其最大导通电阻低至55毫欧，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松设计高效的负载开关、电池反接保护和DC-DC转换电路。其极低的栅极电荷（仅16nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升整体系统效率。采用紧凑的8-SO表面贴装封装，它能帮助您最大化节省PCB空间，是便携式设备、电源管理等应用追求高性能与小尺寸的完美平衡点。