STS9NF3LL

在追求极致能效的电子设计领域，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个关键的功率开关元件，能在更低的导通电阻下工作，将每一分电能都高效转化为动力，而不是白白浪费为热量这正是STS9NF3LL为您带来的核心价值。作为ST意法半导体STripFET II家族的杰出成员，这颗N沟道MOSFET以其卓越的性能，重新定义了30V电压等级下的功率开关标准。

当您将它应用于DC-DC转换器、电机驱动或负载开关时，其低至19毫欧的导通电阻（在10V Vgs条件下）意味着更低的传导损耗，直接提升了系统的整体效率。无论是便携设备中延长电池续航，还是电源模块中减少散热片体积，它都能让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。其高达9A的连续漏极电流能力和150°C的结温，确保了在严苛环境下的稳定与可靠，让您的设计无惧挑战。

选择STS9NF3LL，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其采用成熟的8-SO表面贴装封装，便于自动化生产，能有效帮助您优化PCB布局，降低成本。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST一级代理渠道，您依然可以获得稳定优质的货源，为现有产品的持续生产与维护提供坚实保障。让这颗凝聚ST先进工艺的芯片，成为您打造高效、紧凑、可靠下一代产品的秘密武器。

• 型号:STS9NF3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购STS9NF3LL，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？STS9NF3LL正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET II技术，拥有30V的漏源电压和高达9A的连续电流处理能力，让您轻松驾驭各种中低压功率转换与驱动任务。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（典型值19毫欧@10V Vgs）和快速的开关特性（栅极电荷仅17nC）。这意味着它能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的系统效率，同时减少发热，让您的设计更紧凑、更节能。无论是用于提升电源模块的能效，还是驱动电机精准运转，它都能以稳定的表现，助您一臂之力。