STSJ25NF3LL - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STSJ25NF3LL技术参数详情：

您是否正在为电源转换效率的微小提升而绞尽脑汁？在追求极致能效的今天，每一毫欧的导通电阻都至关重要。这正是STSJ25NF3LL诞生的意义它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统整体竞争力的关键引擎。基于ST意法半导体成熟的STripFET II技术，这颗N沟道功率器件将卓越的电气性能与紧凑的封装完美结合，旨在为您的设计注入澎湃而高效的动力。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器、高效的电机驱动模块或是高密度的负载点电源中，STSJ25NF3LL能够大显身手。它高达25A的连续漏极电流承载能力和低至10.5毫欧的导通电阻，意味着在同等功率下，它能显著降低导通损耗，减少热量产生，从而让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是提升电动工具的动力响应，还是优化服务器电源的能源利用率，它都能成为您可靠的能量开关。

选择它，就是选择了一种经过市场验证的稳健方案。其4.5V的低驱动电压门槛，让它可以轻松兼容多种控制逻辑，简化您的驱动电路设计。同时，高达150°C的结温工作能力和70W的强大功率耗散，赋予了产品出色的鲁棒性和环境适应性。当您需要稳定可靠的供货与技术支援时，请务必通过官方ST授权代理进行采购，这不仅保障了元器件的原装正品与可靠来源，更能获得专业的选型支持。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定升级、备件维护或成本优化项目中，依然是一个极具价值的经典选择，能帮助您以成熟的方案快速实现产品性能的飞跃。

型号:STSJ25NF3LL
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SOIC
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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还在寻找一颗能兼顾高性能与高可靠性的功率开关吗？STSJ25NF3LL正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，采用先进的STripFET II技术，拥有30V的漏源电压和高达25A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅10.5毫欧），能显著降低开关过程中的能量损耗，直接为您提升系统效率，减少散热负担。

它能让您的电源管理设计事半功倍。4.5V的低栅极驱动电压让控制变得轻松简单，而优异的栅极电荷和输入电容特性确保了快速高效的开关性能。无论是用于电机驱动、DC-DC转换还是负载开关，STSJ25NF3LL都能以紧凑的8-SOIC封装，为您提供稳定、高效的功率处理解决方案，助力您的产品在能效竞赛中脱颖而出。