STSJ50NH3LL

想象一下，您的下一个电源管理或电机驱动项目，能否在30V、50A的严苛条件下，依然保持冷静高效，同时将空间占用降至最低？这正是STSJ50NH3LL为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET家族的杰出成员，这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的性能密度，重新定义了紧凑型封装下的功率处理能力。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、可靠运行的能量枢纽。

无论是需要高功率密度的服务器电源模块，还是追求快速响应和精准控制的无人机电调，亦或是空间极其宝贵的车载辅助驱动单元，STSJ50NH3LL都能游刃有余。其高达50A的连续漏极电流和低至10.5毫欧的导通电阻，意味着更低的传导损耗和发热，直接提升了整机效率与可靠性。在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，确保您的产品能够应对从极寒到酷热的各类环境挑战，赋予设计前所未有的灵活性。

选择STSJ50NH3LL，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其4.5V的低栅极驱动电压特性，使其能够轻松兼容主流低压控制逻辑，简化您的驱动电路设计。同时，极低的栅极电荷（仅12nC @ 4.5V）和输入电容，带来了更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的系统响应更迅捷，能效比更出众。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取库存或找到完美的升级替代方案，确保项目供应链的稳定与延续。让这颗凝聚尖端STripFET技术的芯片，成为您打造下一代高性能、高可靠性电子产品的强大基石。

• 型号:STSJ50NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 50A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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还在为如何在有限空间内实现大电流、高效率的功率切换而烦恼吗？STSJ50NH3LL正是为您破解这一难题而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集30V耐压、50A大电流承载能力于一身，却仅采用小巧的8-SOIC封装，让您轻松实现高功率密度设计。

它的核心价值在于极致的能效表现。凭借STripFET先进技术，其导通电阻低至惊人的10.5毫欧，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极特性让驱动变得简单，帮助您简化电路，加速产品上市进程。