STSJ60NH3LL - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STSJ60NH3LL技术参数详情：

在追求极致能效的今天，您的电源管理或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够承载60A大电流，同时将导通电阻压至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局。这正是STSJ60NH3LL带来的核心价值它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体STripFET技术淬炼出的高效能量通道。

当您将它部署在同步整流、DC-DC转换器或电机驱动电路中时，其低至5.7毫欧的导通电阻意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是驱动无人机的无刷电机，还是为服务器电源提供高效的功率转换，这颗芯片都能确保能量以最“直接”的方式传递，让您的终端产品在性能和续航上脱颖而出。其30V的耐压和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），更是为工业自动化、电动工具等严苛环境应用提供了坚实的可靠性保障。

选择STSJ60NH3LL，就是选择了一种经过市场验证的卓越性能与稳定品质。它采用紧凑的8-SOIC-EP封装，在节省宝贵PCB空间的同时，其增强型散热片设计确保了优异的功率耗散能力。虽然该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST代理渠道，您依然可以获取库存，为现有经典设计的持续生产或维护提供关键组件支持。这不仅仅是一个元器件的选型，更是对产品长期稳定性和供应链安全性的深思熟虑。让STSJ60NH3LL成为您高性能设计中那个沉默而强大的基石，释放每一瓦电能的全部潜力。

型号:STSJ60NH3LL
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:8-SOIC-EP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 30V 60A 8SOIC
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:3W（Ta），50W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOIC-EP
封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的N沟道MOSFET吗？STSJ60NH3LL正是为您的高效功率设计而生。它基于意法半导体先进的STripFET技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的5.7毫欧，轻松应对高达60A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案效率大幅提升。

这颗芯片拥有30V的漏源电压和极低的栅极电荷，这意味着它既能保证足够的电压余量，又能实现快速开关，有效减少开关损耗。其紧凑的8-SOIC-EP封装集成了散热片，帮助您高效管理热量，确保系统在-55°C到150°C的宽广结温范围内稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠且高效的动力核心。