STT3PF20V

在追求极致能效的今天，您的电源管理方案是否还在为开关损耗和空间占用而妥协？想象一下，一颗仅SOT-23-6封装的芯片，却能以高达2.2A的连续电流和低至200毫欧的导通电阻，为您的设计注入强劲而高效的能量。这就是STT3PF20V，来自ST意法半导体STripFET II家族的P沟道功率MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、实现小型化设计的秘密武器。

无论是便携式设备中的负载开关、电池反接保护，还是DC-DC转换器中的同步整流与功率路径管理，STT3PF20V都能游刃有余。其2.7V的低栅极驱动电压，完美适配于低电压逻辑电路，让您轻松实现高效驱动，显著降低系统功耗。在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，确保了从消费电子到工业控制等各种严苛环境下的可靠性。当您需要一颗能够简化设计、节省空间且性能卓越的P-MOSFET时，它总是那个值得信赖的选择。

选择STT3PF20V，就是选择了一种经过市场验证的高价值解决方案。其优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接助力于提升系统效率与响应速度。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能指标，使其在诸多存量项目和特定应用中依然闪耀着不可替代的价值。对于正在寻找可靠、高效P沟道MOSFET的工程师而言，通过与专业的ST中国代理合作，您依然可以获取到这颗经典芯片，为您的产品稳定运行保驾护航，让每一次电流的通断都精准、高效、充满力量。

• 型号:STT3PF20V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:200 毫欧 @ 1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:600mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.7 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 现在可以订购STT3PF20V，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。

还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的P沟道MOSFET吗？让STT3PF20V来为您实现。这颗芯片能轻松胜任高达2.2A的电流开关任务，其低至200毫欧的导通电阻（@4.5V, 1A）能显著减少功率损耗，提升您的系统整体能效。

凭借2.7V的低开启电压和SOT-23-6的超紧凑封装，它让您的电源管理、负载开关或电机驱动设计变得更加简洁高效。无论是用于电池供电设备的功率路径控制，还是需要高可靠性开关的工业模块，它都能稳定工作在-55°C至150°C的宽广温度范围内，为您提供坚实可靠的性能保障。