STT7P2UH7 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STT7P2UH7技术参数详情：

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源管理方案是否还在为寻找一颗性能与体积完美平衡的开关器件而困扰？想象一下，一个仅SOT-23-6封装大小的器件，却能持续承载高达7A的电流，同时将导通电阻压至惊人的22.5毫欧以下这并非想象，而是STT7P2UH7为您带来的现实。作为ST意法半导体STripFET家族的杰出代表，这颗P沟道MOSFET以其卓越的电气特性，重新定义了小尺寸功率器件的性能标杆。

无论是需要高效负载开关的便携式设备，还是空间极其有限的电池管理系统，STT7P2UH7都能游刃有余。其20V的漏源电压与7A的连续漏极电流能力，使其成为DC-DC转换器、电机驱动预驱、电源路径管理的理想心脏。更令人振奋的是，它仅需1.5V的低驱动电压即可开启高效工作，极大简化了驱动电路设计，让您的产品在提升效率的同时，进一步降低成本与复杂度。当您需要可靠的技术支持与稳定的供货渠道时，专业的ST代理商将是您值得信赖的伙伴。

选择STT7P2UH7，您选择的不仅仅是一颗MOSFET，更是一套经过市场验证的高可靠性解决方案。其超低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，直接助力终端产品获得更长的续航与更冷静的运行表现。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计与广泛的成功应用案例，依然使其成为许多经典或特定需求项目中经久不衰的优选。让它为您的下一个设计注入强劲而高效的动力，在激烈的市场竞争中赢得关键的性能优势。

型号:STT7P2UH7
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:SOT-23-6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
包装:卷带（TR）
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）:±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2390 pF @ 16 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:1.6W（Tc）
工作温度:150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:SOT-23-6
封装/外壳:SOT-23-6
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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省宝贵电路板空间的“能量开关”吗？STT7P2UH7正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的P沟道MOSFET，集成了STripFET先进技术，在微型SOT-23-6封装内实现了7A的大电流处理能力和低至22.5毫欧的导通电阻，让您的电源管理设计既高效又紧凑。

它能让您轻松驾驭各种负载开关与功率路径控制应用。其1.5V的低开启电压特性，简化了驱动设计；优异的栅极电荷与热性能，确保了快速、凉爽且可靠的开关操作。无论是提升便携设备的续航，还是优化电机驱动的效率，STT7P2UH7都是助您实现高性能目标的得力引擎。