STU10NM60N - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU10NM60N技术参数详情：

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STU10NM60N。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压和10A的连续电流能力，正成为工业电源、电机驱动和照明系统等领域的明星选择。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、实现高效节能目标的关键引擎。

想象一下，在您的服务器电源或工业变频器中，开关频率的提升往往伴随着损耗的增加和温升的挑战。STU10NM60N凭借其先进的MDmesh II技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下优化至仅550毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关速度和极低的驱动损耗，让您的系统在高频运行时依然保持冷静与高效，整体能效轻松跃升一个新台阶。

无论是面对严苛的工业环境，还是需要长时间稳定运行的消费类电源，这款芯片都能从容应对。其高达70W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了产品无与伦比的鲁棒性和可靠性。通孔IPAK封装不仅提供了优异的散热路径，也简化了PCB布局和组装流程。当您需要可靠的原厂供应链支持时，通过授权的ST代理进行采购，能确保您获得正品保障和及时的技术服务，让项目推进全程无忧。

选择STU10NM60N，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与持久稳定。它让您在设计高压侧开关、功率因数校正（PFC）电路或反激式转换器时，拥有更大的设计余量和更简化的热管理方案。其平衡的性能参数，在电压、电流、开关速度和损耗之间取得了完美平衡，直接转化为您终端产品更长的使用寿命、更低的运营成本和更出色的市场口碑。立即将它纳入您的物料清单，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

型号:STU10NM60N
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
包装:管件
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:70W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STU10NM60N正是为您而生的解决方案。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和10A的连续电流能力，其核心价值在于让您轻松实现更低的能量损耗。仅550毫欧的低导通电阻与19nC的低栅极电荷相结合，显著降低了导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效。

它不仅能承受高达70W的功率耗散，更能在-55°C至150°C的严酷结温范围内稳定工作，为您产品的长期可靠性保驾护航。无论是用于开关电源、照明镇流器还是电机控制，STU10NM60N都能以卓越的性能，简化您的热设计，提升整体能效，助您打造出更具市场竞争力的终端产品。