STU10P6F6 - ST公司(意法半导体)授权中国代理商

STU10P6F6技术参数详情：

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压冲击，又能保持低损耗的P沟道MOSFET而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STU10P6F6。这款来自意法半导体的功率器件，以其60V的漏源电压和高达10A的连续电流承载能力，为您的设计注入强劲而稳定的动力源泉。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、确保长期稳定运行的关键拼图。

想象一下，在紧凑的电源适配器、高效的DC-DC转换模块或是需要稳健反向极性保护的电池管理系统中，STU10P6F6都能大显身手。其采用的先进STripFET VI技术和DeepGATE结构，意味着在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）被显著降低至仅160毫欧。这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备即使在满载运行时也能保持“冷静”，显著延长使用寿命并提升能效等级。无论是消费电子、工业控制还是汽车辅助系统，它都能轻松融入，成为提升产品竞争力的幕后功臣。

选择STU10P6F6，就是选择了一份经过时间考验的可靠性。高达175°C的结温工作能力和35W的功率耗散，赋予了它卓越的环境适应性和鲁棒性。通孔IPAK（TO-251）封装不仅坚固耐用，也为散热设计和生产焊接提供了便利。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定高可靠性项目或库存备货的明智之选。当您需要值得信赖的功率开关解决方案时，联系专业的ST芯片代理，他们能为您提供关于此类经典器件的全面库存与技术支援，确保您的供应链稳定无忧。

型号:STU10P6F6
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:TO-251（IPAK）
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
包装:管件
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:35W（Tc）
工作温度:175°C（TJ）
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-251（IPAK）
封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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您正在寻找一颗能简化高压侧开关设计、同时兼顾高效与可靠的P沟道MOSFET吗？STU10P6F6正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的功率器件，集成了60V耐压和10A持续电流能力，其核心价值在于极低的导通损耗在10V驱动下导通电阻仅160毫欧，让您的电源转换或电机驱动电路效率显著提升，热量大幅减少。

它采用成熟的STripFET VI技术，开关速度快，栅极电荷（Qg）低至6.4nC，这意味着您可以实现更高效的开关控制，减少驱动电路的负担。高达175°C的结温工作能力，确保了它在严苛环境下的稳定表现。无论是用于电源管理、负载开关还是电池保护电路，STU10P6F6都能让您的设计更稳健、更高效，轻松应对各种功率控制挑战。